Sun et Micron veulent améliorer la longévité des mémoires flash

Afin d’améliorer le nombre de cycle d‘écriture des mémoires flash, Sun et Micron ont travaillé de concert pour porter ce nombre à un million sur des mémoire NAND, composant de base des disques SSD que Sun commence à implanter dans ses serveurs.

Sun Microsystems et Micron ont mis au point une nouvelle génération de mémoire flash capable de proposer beaucoup plus de cycles d'écriture/effacement que les mémoires disponibles actuellement. Destinée à l'intégration dans des disques SSD pour serveurs et baies de stockage, cette nouvelle génération de mémoire NAND offrirait environ 1 million de cycles, soit à peu prêt cent fois plus que les mémoires flash actuelles. Une innovation majeure et cruciale pour le développement des disques SSD en entreprise, principalement dans les serveurs, un axe que Sun pousse actuellement dans ses offres.

Selon Micron, à l'origine de cette avancée, la technologie utilisée se base sur de nouvelles cellules à simple niveau (Single Level Cell, SLC). ......

...... Micron souhaite produire en volume des modules de mémoire NAND de 32 Go dés le début 2009, et espère introduire une gravure en 34 nm à cette même date, afin de proposer des capacités plus grandes dans le même format physique que les modules actuels.

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